새로운 GaN-on-SiC MMIC 장치 4종이 이용 가능해지면서 RF 시스템의 크기, 무게, 출력 향상시킬 수 있게 돼

미국 노스캐롤라이나주 더럼 - Media OutReach - 28 April 2021 - 실리콘 카바이드 기술 분야의 글로벌 리더인 Cree l Wolfspeed에서 멀티 스테이지 GaN-on-SiC MMIC(단일칩초고주파집적회로) 4종을 새롭게 출시해 해양, 기상 감시, 떠오르는 무인 항공 시스템 레이더 등 다양한 펄스(pulsed) 및 연속파 X-밴드 위상 배열 애플리케이션을 위한 RF 솔루션을 확장했다. Wolfspeed® GaN-on-Sic 기술을 사용한 새로운 장치는 소형 산업 표준 패키지에서 높은 전력 부가 효율(PAE)을 전달하므로 더 작은 시스템에서 더 적은 전력을 소비하며 최대 성능을 내는 것이 가능하다. 

Cree l Wolfspeed의 파운드리, 항공, 방위산업 담당 짐 밀리건(Jim Milligan) 시니어 디렉터는 "Cree l Wolfspeed의 새로운 X-band 제품이 출시되면서 능동 위상 배열 레이더 애플리케이션에 필요한 것처럼 까다로운 폼팩터에서 고효율 전송 솔루션을 요구하는 시스템에 폭넓은 옵션을 제공하게 되었다. Wolfspeed® GaN-on-SiC 솔루션을 사용하면 성능을 새로운 수준으로 끌어 올리면서 더 작고 더 가벼우며 더 출력이 높아야 하는(SWaP) RF 시스템 요구 사항을 충족시킬 수 있을 것"이라고 밝혔다.

Cree l Wolfspeed의 광범위한 X-밴드 제품 포트폴리오에서는 다수의 게인 스테이지를 지원하는 솔루션을 제공하므로 전송 체인에 필요한 장치 수를 줄일 수 있다. 또, 이 솔루션들은 여러 가지 출력 레벨로 나와 시스템 성능을 최적화할 수 있으며 시스템 아키텍처를 최적화할 수 있도록 다양한 플랫폼으로 제공된다. 제품 상세 정보와 성능 데이터는 표1에 나와 있다.

새로 출시되는 증폭기는 계속해서 확장되고 있는 방위 산업 분야 솔루션 포트폴리오에 포함된다. 증폭기의 성능은 항공 및 방위산업 시장을 지원하는 Cree l Wolfspeed의 수십 년에 걸친 GaN-on-SiC 전문 지식을 보여주는 것이며 동시에 광범위한 RF 애플리케이션을 위해 업계 최고의 혁신 GaN 솔루션을 개발하려는 노력을 입증한다.

Table 1